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挑战台积电 CoWoS：蒲得宇称英特尔 EMIB 技术良率达 90%_蜘蛛资讯网

20x120 封装内容纳 12 个 HBM 芯片、4 个密集小芯片及超过 20 个 EMIB-T 连接。展望 2028 年，英特尔计划将 EMIB-T 扩展至 > 12xReticle 尺寸，在 > 120x180 封装内容纳超过 24 个 HBM 裸片和 38 个以上 EMIB-T 桥接。

　投资者对通胀加剧的担忧日益加剧。本周，债券交易员已将美国30年期国债收益率推升至近20年前全球金融危机以来未见的水平。 美国劳工统计局上周发布的一份报告显示，4月份PPI涨幅创下四年来的最高纪录。此前公布的政府数据还显示，CPI增速已达到近三年来最快水平。　　抵押贷款利率直接受到10年期美国国债收益率的影响 ，上周在通胀数据显示通胀加速后，该收益率升至7月以来的最高水平。本周，30年期美债收益率

bsp;      蒲得宇指出最新数据显示，EMIB 良率已与 FCBGA（倒装芯片球栅阵列）相当，但提供了更高的裸片间互连密度。          技术层面，当前存在 EMIB-M 与 EMIB-T 两个关键版本。EMIB-M 专为能效设计，在硅桥中集成了 MIM（金

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发布时间：04:08:05